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1.
《Current Applied Physics》2020,20(11):1281-1287
In this study, the red-emitting phosphor-in-glass (PiG) using the CaAlSiN3: Eu2+ (CASN) phosphor is reported for the first time. The CASN: Eu2+ PiG samples with a maximum luminous flux of 25.1–29.4 for l minute at laser power of 1 W/mm2 was obtained using a low-temperature glass frit and GPS furnace. Despite the increase in the phosphor from 15 to 25 wt%, the PiG produced at low temperature of 380 °C showed robust properties. Finally, the red PiG module designed for rear lamp applications maintains over 90% lumens for a minute at 350 mA and achieves an intense red light having a color temperature of 4589 K. 相似文献
2.
采用溶胶凝胶-燃烧法,柠檬酸为络合剂合成出系列Gd2(MoO4)3:Eu3+荧光粉.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光光谱对样品的结构、形貌和发光性能进行了研究.XRD分析表明:稀土离子与柠檬酸为1:0.5时,800℃热处理获得单斜结构的Gd2(MoO4)3:Eu3+荧光粉.单斜结构的Gd2(MoO4)3:Eu3+荧光粉到正交结构的Gd2(MoO4)3:Eu3+荧光粉的转换可以通过改变稀土离子与柠檬酸摩尔比和热处理温度等合成条件实现.Gd2(MoO4)3:Eu3+荧光粉的形貌受合成条件的影响.荧光光谱研究表明:Gd2(MoO4)3:Eu3+荧光粉的主发射峰位于616 nm处来自于Eu3+的5D0→7F2电偶极跃迁.正交结构的Gd2(MoO4)3:Eu3+荧光粉发射强度明显高于单斜结构的荧光粉.计算5D0→7F2与5D0→7F1跃迁发射的相对强度比值表明:正交结构的Gd2(MoO4)3:Eu3+中Eu3+局域环境的对称性较高。 相似文献
3.
采用高温固相反应法合成了不同Tb^3+掺杂浓度的CaLuBO4∶xTb^3+荧光粉,研究了样品的晶体结构和发光性质。在紫外光激发下,样品的发射光谱由Tb3+离子的5D3→7FJ(J=6,5,4)和5D4→7FJ′(J′=6,5,4,3)特征发射组成,其中位于545 nm和554 nm附近的5D4→7F5跃迁发射强度最大。荧光粉的激发光谱是由位于紫外区的Tb3+的4f-5d和f-f跃迁构成的。研究了Tb3+浓度对样品发光性质的影响。测量并分析了CaLuBO4∶xTb^3+荧光粉的5D3能级和5D4能级荧光寿命。结果表明,CaLuBO4∶xTb^3+是一种适于紫外激发的新型黄绿光荧光粉。 相似文献
4.
《Current Applied Physics》2020,20(7):862-865
We report on the optimization of fabrication of a ceramic phosphor plate (CPP) using α-Al2O3 as functional materials for an automotive laser headlamp. The prepared CPP shows the high luminous characteristics with increasing α-Al2O3 contents because of the light scattering of the hexagonal structure of α-Al2O3 materials. We investigated the correlation between α-Al2O3 and thickness of CPP. The luminous properties of the CPP are improved and optimized according to the variables of one. We found that the prepared sample is a potential material for future solid-state laser lighting in application as an automotive headlamp. 相似文献
5.
采用溶胶-凝胶法成功制备出系列Eu3+掺杂和Li+、Eu3+共掺杂Gd2ZnTiO6红色荧光粉,并研究Li+、Eu3+掺杂对样品的晶体结构、微观形貌及发光性能的影响。结果显示,所制备的Gd2ZnTiO6∶Eu3+,Li+(GZT∶Eu3+,Li+) 荧光粉为双钙钛矿结构,属于单斜晶系(空间群:P21/n),大小为10 μm的无规则形状的颗粒。在395 nm近紫外光的激发下,GZT∶Eu3+的发射光谱展示出典型的Eu3+线状特征光谱,发射峰中心位于615 nm处,归属于Eu3+的5D0→7F2跃迁。Eu3+的最佳掺杂浓度为0.07(摩尔分数),样品显示明显的浓度猝灭效应,其机制为电偶极子-电偶极子(d-d)相互作用。此外,研究还发现,Li+掺杂对样品的晶体结构、微观形貌没有影响,但是一定量的Li+掺杂可以显著增强样品的荧光强度。当Li+浓度为0.05时,荧光粉发射主峰强度增强程度最大,提高至原来的4.3倍,说明通过Li+、Eu3+共掺杂可以获得高亮度的GZT红色荧光粉。GZT∶0.14Eu3+,0.05Li+荧光粉的CIE色坐标为(0.631 1,0.375 3)与标准红光色坐标(0.670,0.330)较为接近,是一种潜在的LED用红色荧光粉。 相似文献
6.
采用高温固相法成功制备了Na3Sc2-x-y(PO4)3∶xTm3+,yDy3+荧光粉,利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光光谱仪对荧光粉进行了物相、形貌和发光性能进行了表征。 在Na3Sc2(PO4)3∶0.06Tm3+,yDy3+荧光粉中,物质的量分数6%的Tm3+和6%的Dy3+在360 nm激发下呈现出白光发射,其发射光谱在460~685 nm范围内存在Tm3+位于457 nm的特征发射峰,对应于Tm3+的3H6→1D2跃迁,以及Dy3+位于483、577和672 nm处的3个特征发射峰,分别对应于Dy3+的4F9/2→6H15/2、4F9/2→6H13/2和4F9/2→6H11/2的跃迁。 观测到Na3Sc2(PO4)3∶Tm3+荧光粉的发射光谱与Na3Sc2(PO4)3∶Dy3+的激发光谱有较好的重叠,且Tm3+的荧光寿命随Dy3+浓度的增加逐渐降低,因此在Na3Sc2(PO4)3∶Tm3+,Dy3+荧光粉中存在Tm3+向Dy3+的能量传递。 利用Dexter和Reisfeld近似分析了能量转移机制,发现从Tm3+到Dy3+的能量传递临界距离为1.6 nm,能量传递过程是通过偶极-偶极相互作用进行的。 Na3Sc2(PO4)3∶0.06Tm3+,0.06Dy3+荧光粉具有较好的耐受热猝灭性能,在423、473和523 K时的发射强度分别为298 K时发射强度的97.6%、89.2%和78.6%。 随着Dy3+浓度的增加,Na3Sc2(PO4)3∶0.06Tm3+,yDy3+荧光粉的发光颜色由蓝色转变为白色,再由白色变黄色。 Na3Sc2(PO4)3∶Tm3+,Dy3+荧光粉作为一种可调色或单相白光荧光粉在发光二极管上具有潜在的应用前景。 相似文献
7.
通过高温固相反应合成了一系列宽谱带发射黄色荧光粉Sr_8MgAl(PO_4)_7∶x Eu~(2+)(SMAP∶x Eu~(2+)),并对其物质结构、发光性能及其在白色发光二极管(WLED)领域的应用进行了探究。X射线衍射(XRD)测试结果表明,SMAP∶x Eu~(2+)系列荧光粉具有单斜结构和C2/m空间群,激活剂Eu~(2+)离子能够很好地进入SMAP基质中并占据Sr~(2+)离子的晶格位点。漫反射光谱分析显示SMAP基质属于宽带隙材料,带隙宽度为3.60 e V。此外,SMAP∶x Eu~(2+)具有较宽的激发范围(280~500 nm),对应于Eu~(2+)离子的4f~7→4f~65d~1跃迁;在380 nm近紫外光激发下,呈现出450~800 nm的多发光中心的非对称黄光发射,发射峰位于590 nm处。基于高斯多峰拟合结果,得到3个发光中心,分别位于528、600和680 nm。最后,将已制备的黄色荧光粉SMAP∶0.05Eu~(2+)与商业化蓝粉Ba Mg Al_(10)O_(17)∶Eu~(2+)混合涂覆到400 nm芯片上制得色温较好(3 344 K)、显色指数较高(90.1)的WLED。 相似文献
8.
以Sm~(3+)为激活剂,Na~+为电荷补偿剂,柠檬酸为配位剂,乙二醇作为辅助配位剂,采用溶胶-凝胶法合成前驱体,然后在800℃下焙烧,成功制备了一系列SrMoO_4∶Sm~(3+),Na~+红色荧光粉。用X射线衍射仪、扫描电镜、荧光光谱和傅里叶变换红外光谱等手段对样品的物相、形貌、组成、发光性能和量子效率等进行测试和表征。分析结果表明:制备的SrMoO_4∶Sm~(3+),Na~+荧光粉均为四方晶系结构,掺杂离子的加入对基质晶体结构影响不大。在403 nm近紫外光激发下,产物有4个发射峰,分别位于563、600、647和707 nm处,归属于~5G_(5/2)→~6HJ(J=5/2,7/2,9/2,11/2)的电子跃迁,其中位于647 nm处的主发射峰的相对发光强度最大。当Sm~(3+)的掺杂物质的量分数为1%~3%时,发光强度最好,当浓度超过1%~3%时,会发生荧光猝灭。对实验数据进行分析,确定荧光猝灭机理是由于钐离子间交换作用引起的,并计算了能量传递的临界距离为1.77~2.56 nm。此外,还详细研究了乙二醇对SrMoO_4∶Sm~(3+),Na~+荧光粉形貌的影响,研究结果表明:乙二醇加入量为5 m L时,产物形貌均匀,呈球形或椭球形;且分散性较好;荧光强度最大。 相似文献
9.
近红外光谱技术在安防监控、食品检测、生物成像、农业等领域具有重要应用价值, 而开发出紧凑高效的近红外光源是其大规模商业应用的前提. 荧光粉转换型近红外发光二极管(light emitting diodes, LED)光源具有结构紧凑、成本低、使用寿命长、发射光谱可调等优点, 因此近些年受到广泛关注, 其关键就在于开发出能被蓝光有效激发的高性能近红外荧光粉. 本工作利用高温固相法制备了一种新型宽带近红外荧光粉In2BP3O12:Cr3+, 在480 nm激发下, 荧光粉发射峰值位于950 nm, 光谱覆盖了750~1350 nm范围, 半峰宽达到210 nm. 采用该荧光粉与商用蓝光InGaN LED芯片封装, 获得了具有宽带发射的近红外LED光源, 在60 mA的驱动电流下, 近红外光辐射功率为5 mW. 当采用该光源照射人的手掌, 用近红外电感耦合器(charge coupled device, CCD)相机能够对手掌中的血管进行清晰的成像. 上述结果表明该近红外荧光粉可用于制备基于蓝光芯片的宽带近红外LED光源, 并在生物医学等领域具有潜在应用前景. 相似文献
10.
采用高温固相法制备了(Ca,Me)La4Si3O13∶Eu3+(Me=Sr,Ba)系列红色荧光体,考察了Eu3+掺杂浓度和Sr2+,Ba2+置换对荧光体结构和发光特性的影响。Eu3+最佳掺杂浓度为nEu3+∶nLa3+=1∶7,5D0-7F2与5D0-7F1跃迁发射强度比为2.55。Eu3+掺杂使晶胞参数a和c呈线性变小,对c的影响大于a,使a/c比增大。Sr2+和Ba2+分别置换基质中的Ca2+可以形成完全固溶体,晶胞参数随Sr2+或Ba2+的置换量增加呈线性增大,使a/c比减小。各发射峰强度在Sr2+置换量为0.4 mol时出现极大值,但随Ba2+置换量的增加而不断增强,全置换后荧光强度最大。荧光体的色坐标为(0.638 5,0.353 0)。 相似文献